シリコンカーバイド応用製品 なら福島SiC応用技研株式会社

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加速器中性子源

原子炉を用いることなく、加速器にて大量の中性子を発生させる製品です。加速器駆動回路にSiC直列共振という最先端のパワーエレクトロニクス技術を適用することで、従来に比べて大幅な小型化・低消費電力化を実現できました。設置場所の電源環境にあわせて「パルス加速モード」、「静電加速モード」の2種類の加速モードを選択することができます。重陽子線、或は陽子線を0.1~2.5MeVに加速して各種ターゲットに照射することで、 108 ~ 1013 neutrons/sレベルの中性子が発生できます。中性子線の自己遮蔽機能を標準装備しており、既存のレントゲン室レベルの遮蔽環境にての設置が可能で、今後様々な分野への適用が期待できます。

SiC-BNCTがん治療装置

弊社のSiC直列共振式静電加速器による加速器中性子源(以下SiC加速器中性子源)を使用し、装置本体には、10本のSiC加速器中性子源を患者周囲に配置することで中性子線による多門照射を実現します。多門照射を行うことで、体の奥深くにある患部まで中性子線が届けられるようになり、開頭手術、開腹手術が不要なBNCT技術を確立します。頭頚部治療に向けたBNCTではSiC加速器中性子源型番SiCANS-150Dを、肝胆膵治療に向けたBNCTではSiC加速器中性子源型番SiCANS-400Dを適用します。


高電圧パルス発生器

高電圧パルス発生器

SiC半導体デバイスによる高電圧パルス発生器は、従来の「真空管式高電圧パルス発生器」や「シリコン半導体デバイスによる半導体パルス発生器」と比較して、定格電圧、定格電流、応答特性、故障率など、装置単体レベル性能でも圧倒的なコスト・性能の優位性があります。


SiC半導体遮断器

SiC半導体遮断器

従来の遮断器は機械接点を使っていたため、高電圧をオフする際はアークが発生して完全にオフまでに数m秒~数十m秒の時間を要していました。SiC半導体遮断器では無電圧接点を使っており、数十kV以上の交流高電圧であっても、或は直流高電圧であってもアークが発生することなく瞬時(数百n秒以内)に電流をオフできます。これまでの機械式遮断器では非常に急激な電流変化や電圧変化から電気回路を保護することができませんでした。SiC半導体遮断機ではこのような非常に急激な電圧変動、電流変動から電気回路を保護することが可能となります。またSiC(シリコンカーバイト)デバイスのオン抵抗は、Si(シリコン)デバイスの1/10~1/100程度であり電力ロスの少ない省エネルギー製品を提供できます。


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